[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780048582.2 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109564908B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 甲斐健志;丸山力宏;宫嵜启裕 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/12;H01L23/40;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种能够抑制绝缘电路基板的形状变化、提高散热性的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：绝缘电路基板(3a、3b、3c)，其搭载有半导体芯片(7)；以及壳体(1a)，其至少在形成相向的2个边的一组侧壁部分别具有与绝缘电路基板(3a、3b、3c)接合的接合区域(8)，接合区域(8)的形状是在2个边的延伸方向上的中央比两端向绝缘电路基板(3a、3b、3c)侧突出的圆弧状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘电路基板，其搭载有半导体芯片；以及壳体，其至少在形成相向的2个边的一组侧壁部分别具有与绝缘电路基板接合的接合区域，所述接合区域的形状是在所述2个边的延伸方向上的中央比两端向所述绝缘电路基板侧突出的圆弧状。
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