[发明专利]发光元件在审
| 申请号： | 201780048307.0 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109564958A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 金智惠;金京完;金艺瑟 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00;H01L33/62;H01L33/14;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;孙昌浩 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光元件，尤其涉及一种发光元件：通过在第一连接焊盘与第一导电型半导体层之间布置电流阻断层而使注入到第一导电型半导体层的电流的分散效率提高，连接焊盘与电流阻断层包括曲线区域，从而能够提高可靠性，并且将电流引导至连接于连接焊盘的下部延伸部，从而能够提高发光元件的功率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光元件 连接焊盘 导电型半导体层 电流阻断层 电流引导 分散效率 曲线区域 延伸部 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，其中，包括：氮化物基半导体叠层，包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层，且包含通过贯穿所述第二导电型半导体层和活性层而使所述第一导电型半导体层暴露的暴露区域；第一连接焊盘，通过所述暴露区域而电连接于所述第一导电型半导体层；第一电流阻断层，夹设于所述第一导电型半导体层与所述第一连接焊盘之间；第二连接焊盘，布置于所述第二导电型半导体层上；以及上部延伸部，从所述第二连接焊盘延伸，其中，所述上部延伸部为两个以上，所述第一连接焊盘位于所述上部延伸部之间，所述第一电流阻断层在所述第一导电型半导体层与所述第一连接焊盘之间的区域中限于局部区域而被夹设。
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