[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780040477.4 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109478571B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 汤田洋平;绵引达郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 即使在n型氧化物半导体中设置p型氧化物半导体作为终端结构，也防止p型氧化物半导体被n型氧化物半导体的氧所氧化。半导体装置(10)，其具备：n型氧化镓基板(1)；与n型氧化镓基板1接合的阳极电极(3)；和设置于n型氧化镓基板(1)的阴极电极(2)，使电流经由在阳极电极(3)与阴极电极(2)之间设置的n型氧化镓基板(1)在阳极电极(3)与阴极电极(2)之间流动，其特征在于，具备：与将阳极电极(3)与n型氧化镓基板(1)接合的接合部邻接地设置的p型氧化物半导体层(4a)；和在p型氧化物半导体层4a与n型氧化镓基板(1)之间所设置的氮化物层(7)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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