[发明专利]暴露面积增大石英玻璃构件及其制造方法以及多重外周刃刀片有效
| 申请号： | 201780036879.7 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109314056B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 土田昭祯;藤井纪和;牧田佳纪 | 申请（专利权）人： | 信越石英株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;B24B19/02;B24D5/00;C03C19/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 肖茂深 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种暴露面积增大石英玻璃构件及其制造方法以及该方法中使用的多重外周刃刀片，该暴露面积增大石英玻璃构件与表面平坦的石英玻璃构件相比相对于成膜处理气体的暴露面积增大，并且增大暴露面积被控制为向表面的吸附量恒定。该暴露面积增大石英玻璃构件为在半导体基板的成膜处理中与被成膜处理的所述半导体基板一起载置于反应室内并暴露于成膜处理气体的成膜处理气体暴露用的石英玻璃构件，具有石英玻璃构件主体、在所述石英玻璃构件主体的表面形成的多个凹凸部，该暴露面积增大石英玻璃构件的相对于成膜处理气体的暴露面积被控制而增大。 | ||
| 搜索关键词： | 暴露 面积 增大 石英玻璃 构件 及其 制造 方法 以及 多重 外周刃 刀片 | ||
【主权项】：
1.一种暴露面积增大石英玻璃构件，其为在半导体基板的成膜处理中与被成膜处理的所述半导体基板一起载置于反应室内并暴露于成膜处理气体的成膜处理气体暴露用的石英玻璃构件，其中，所述暴露面积增大石英玻璃构件具有：石英玻璃构件主体；和在所述石英玻璃构件主体的表面形成的多个凹凸部，所述暴露面积增大石英玻璃构件的相对于成膜处理气体的暴露面积被控制而增大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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