[发明专利]碳化硅的制备方法及碳化硅复合材料在审
| 申请号： | 201780036604.3 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN109311768A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 前田让章;河野梓;池田吉纪 | 申请（专利权）人： | 帝人株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/573 | 分类号： | C04B35/573;C01B32/956 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;杨戬 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供可在低反应温度下反应的新的碳化硅的制备方法。本发明涉及碳化硅的制备方法，所述方法包括将至少含有平均粒径低于200nm的硅纳米粒子和碳系材料的组合物烧结。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制备 碳化硅复合材料 硅纳米粒子 平均粒径 碳系材料 烧结 | ||
【主权项】：
1.碳化硅的制备方法，所述方法包括将至少含有平均粒径低于200nm的硅纳米粒子和碳系材料的组合物烧结。
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