[发明专利]用于应变管理的稀土磷属元素化物有效
| 申请号： | 201780034375.1 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN109478504B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·克拉克;吕蒂斯·达吉斯;迈克尔·莱比;罗德尼·佩尔策尔 | 申请（专利权）人： | IQE公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘慧;杨青 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文所述的系统和方法可以包括具有第一晶格常数的第一半导体层，在第一半导体上外延生长的稀土磷属元素化物缓冲层，其中与第一半导体相邻的稀土磷属元素化物缓冲层的第一区域具有小于1％的净应变，在稀土磷属元素化物缓冲层上外延生长的第二半导体层，其中与第二半导体相邻的稀土磷属元素化物缓冲层的第二区域具有作为所需应变的净应变，并且其中稀土磷属元素化物缓冲层可以包括一种或多种稀土元素以及一种或多种V族元素。在一些示例中，期望的应变近似为零。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 应变 管理 稀土 元素 | ||
【主权项】：
1.一种层结构，包括：具有第一晶格常数的第一半导体层；在所述第一半导体上外延生长的稀土磷属元素化物缓冲层，其中与所述第一半导体相邻的所述稀土磷属元素化物缓冲层的第一区域具有小于1％的第一净应变；在所述稀土磷属元素化物缓冲层上外延生长的第二半导体层，其中与所述第二半导体相邻的所述稀土磷属元素化物缓冲层的第二区域具有作为所需应变的第二净应变；其中所述稀土磷属元素化物缓冲层包括：一种或多种稀土元素，以及一种或多种V族元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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