[发明专利]多台阶表面钝化结构及其制造方法

摘要

一种氮化镓(GaN)晶体管，包括两个或更多个绝缘半导体界面区域(绝缘区)。设置在栅极和漏极之间(栅极附近)的第一绝缘区最小化栅极漏电流和栅极附近的场，其导致高栅极‑漏极电荷(Qgd)。设置在该第一绝缘区和漏极之间的第二绝缘区(或多个绝缘区)使漏极触点处的电场最小化，并在沟道中提供高密度电荷以实现低导通电阻。

主权项

1.一种三族氮化物晶体管，包括：衬底；过渡层，位于所述衬底上方，其中所述过渡层包括三族氮化物材料；缓冲层，位于所述过渡层上方，其中所述缓冲层包括三族氮化物材料；阻挡层，位于紧接所述过渡层上方，其中所述阻挡层包括三族氮化物材料；沟道，其包括在所述缓冲层中与所述阻挡层的接面处形成的导电二维电子气(2DEG)；栅极触点、漏极触点和源极触点，位于所述阻挡层上方，其中所述栅极触点位于所述源极触点和所述漏极触点之间；以及第一绝缘区和第二绝缘区，位于所述阻挡层上方并且至少位于所述栅极触点和所述漏极触点之间，其中所述第一绝缘区比所述第二绝缘区更靠近所述栅极触点；其中，所述第一绝缘区下方、所述沟道上方的净电子供体密度低于所述第二绝缘区下方、所述沟道上方的净电子供体密度，使得所述沟道中所述第二绝缘区下方的2DEG密度高于所述沟道中所述第一绝缘区下方的2DEG密度。