[发明专利]微机械本体声波谐振器压力传感器在审

专利信息
申请号: 201780032411.0 申请日: 2017-05-30
公开(公告)号: CN109154533A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 斯里尼瓦·塔迪加达帕;尼希特·戈尔;斯蒂芬·巴特 申请(专利权)人: MKS仪器公司
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 刘明海;胡彬
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种压力传感器包括具有大致平面结构的压电基底和在压电基底的平面结构的边缘固定压电基底的锚固位置。压电基底的平面结构具有与锚固位置相邻的具有第一特征厚度的第一区域,以及在基底的中间区域的具有第二特征厚度的第二区域。第二特征厚度小于第一特征厚度,使得第二区域中的平面结构相对于平面结构的中性轴线发生位移,从而使得在经受弯曲时第二区域具有主要压缩的或主要拉伸的应力。
搜索关键词: 基底 平面结构 压电 第二区域 压力传感器 锚固位置 声波谐振器 大致平面 第一区域 中间区域 中性轴线 微机械 拉伸 压缩
【主权项】:
1.一种压力传感器,包括:具有大体平面结构和中性轴线的压电基底,所述平面结构上的上电极和所述平面结构上的下电极,所述上电极和下电极用于驱动所述压电基底的谐振并感测所述压电基底的频率;锚固位置,其将所述压电基底固定至所述压电基底的所述平面结构的边缘处的固定装置;其中所述压电基底的所述平面结构具有与所述锚固位置相邻的具有第一特征厚度的第一区域,以及在所述基底的中间区域的具有第二特征厚度的第二区域,其中所述第二特征厚度小于所述第一特征厚度,使得所述第二区域中的所述平面结构相对于所述平面结构的所述中性轴线发生位移,从而使得在经受弯曲时所述第二区域具有主要压缩的或主要拉伸的应力。
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