[发明专利]具有改进的反向阻断能力的IGBT在审
| 申请号： | 201780030634.3 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN109429531A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 菲利浦·库德纳;罗曼·马卢塞克;贾斯汀·耶杰 | 申请（专利权）人： | 力特有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 美国伊利诺伊州芝加哥希*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)装置。所述IGBT可包括：衬底层，所述衬底层包含p型掺杂剂；设置在所述衬底层上的第一外延层，所述第一外延层包含具有第一浓度的N型掺杂剂。所述IGBT还可包括设置在所述第一外延层上的第二外延层，所述第二外延层包含具有第二浓度的N型掺杂剂，所述第二浓度大于所述第一浓度。所述IGBT还可包括设置在所述第二外延层上的第三外延层，所述第三外延层包含具有第三浓度的N型掺杂剂，所述第三浓度小于所述第一浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 衬底层 绝缘栅双极晶体管 反向阻断 改进 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)装置，其包括：衬底层，所述衬底层包含p型掺杂剂；设置在所述衬底层上的第一外延层，所述第一外延层包含具有第一浓度的N型掺杂剂；设置在所述第一外延层上的第二外延层，所述第二外延层包含具有第二浓度的N型掺杂剂，所述第二浓度大于所述第一浓度；以及设置在所述第二外延层上的第三外延层，所述第三外延层包含具有第三浓度的N型掺杂剂，所述第三浓度小于所述第一浓度。
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