[发明专利]等离子体沉积方法

摘要

一种等离子体沉积方法，其中，通过前体混合物的等离子体沉积将覆盖层沉积在空等离子体腔室的内壁上，所述前体混合物包含(i)一种或多种式(A)的烃化合物；或(ii)一种或多种C₁‑C₃烷烃、C₂‑C₃烯烃或C₂‑C₃炔烃化合物：(式(A))其中：Z₁表示C₁‑C₃烷基或C₂‑C₃烯基；Z₂表示氢、C₁‑C₃烷基或C₂‑C₃烯基；Z₃表示氢、C₁‑C₃烷基或C₂‑C₃烯基；Z₄表示氢、C₁‑C₃烷基或C₂‑C₃烯基；Z₅表示氢、C₁‑C₃烷基或C₂‑C₃烯基；以及Z₆表示氢、C₁‑C₃烷基或C₂‑C₃烯基。

主权项

1.一种等离子体沉积方法，其中，通过前体混合物的等离子体沉积将覆盖层沉积在空等离子体腔室的内壁上，所述前体混合物包含(i)一种或多种式(A)的烃化合物；或(ii)一种或多种C1‑C3烷烃、C2‑C3烯烃或C2‑C3炔烃化合物：其中：Z1表示C1‑C3烷基或C2‑C3烯基；Z2表示氢、C1‑C3烷基或C2‑C3烯基；Z3表示氢、C1‑C3烷基或C2‑C3烯基；Z4表示氢、C1‑C3烷基或C2‑C3烯基；Z5表示氢、C1‑C3烷基或C2‑C3烯基；以及Z6表示氢、C1‑C3烷基或C2‑C3烯基。