[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780023631.7 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN109075200B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 海老原洪平;古桥壮之;田中贵规 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/329;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(100)具备：n型的漂移层(1)，形成于具有偏角的半导体基板(4)上；多个p型柱区域(2)，形成于漂移层(1)内；以及表面电极(5)，形成于包括p型柱区域(2)的漂移层(1)之上。在包括p型柱区域(2)的漂移层(1)的表层部，以包围有源区域的方式，形成有多个作为p型的半导体区域的耐压保持构造(3)。多个p型柱区域(2)分别为向半导体基板(4)的偏角的方向延伸的线状。多个耐压保持构造(3)在俯视时分别为包括与p型柱区域(2)平行地延伸的边和与p型柱区域(2)正交的边的框状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板(4)，具有偏角；第1导电类型的漂移层(1)，形成于所述半导体基板(4)上；第2导电类型的多个柱区域(2)，形成于所述漂移层(1)内；表面电极(5)，形成于包括所述多个柱区域(2)的所述漂移层(1)之上；以及第2导电类型的多个耐压保持构造(3)，以包围有源区域的方式形成于包括所述多个柱区域(2)的所述漂移层(1)的表层部，所述多个柱区域(2)分别为向所述偏角的方向延伸的线状，所述多个耐压保持构造(3)在俯视时分别为包括与所述柱区域(2)平行地延伸的边和与所述柱区域(2)正交的边的框状。
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