[发明专利]固态成像元件和电子设备在审
| 申请号： | 201780017343.0 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109075179A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 加藤菜菜子;若野寿史;大竹悠介 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/14;H01L31/107;H04N5/369;H04N9/07 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 日本国东*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本公开的固态成像装置包括：光电转换膜，其逐个像素地设置在半导体衬底外部，对具有预定波长范围的光执行光电转换，并且透射具有所述预定波长范围以外的波长范围的光；和光电转换区，其逐个像素地设置在所述半导体衬底内部，并对具有所述波长范围的光执行光电转换，所述光具有已经通过所述光电转换膜的所述波长范围。所述光电转换膜包括具有雪崩功能的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 光电转换膜 波长 光电转换 预定波长 衬底 像素 半导体 固态成像元件 固态成像装置 光电转换区 电子设备 透射 雪崩 外部 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像装置，包括：光电转换膜，其逐个像素地设置在半导体衬底外部，对具有预定波长范围的光执行光电转换，并且透射具有所述预定波长范围以外的波长范围的光；和光电转换区，其逐个像素地设置在所述半导体衬底内部，并对具有所述波长范围的光执行光电转换，所述光具有已经通过所述光电转换膜的所述波长范围，所述光电转换膜包括具有雪崩功能的膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
