[发明专利]具有可调整磁致伸缩的磁阻元件以及包括磁阻元件的磁性设备在审
| 申请号： | 201780015916.6 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108701757A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | S.邦迪尔拉 | 申请（专利权）人： | 克罗科斯科技公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01F10/26;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙鹏;闫小龙 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本公开涉及一种磁阻元件（1），包括：具有第一存储磁致伸缩的存储层（21）；具有第一感测磁致伸缩的感测层（23）；在存储和感测层（21，23）之间并且与存储和感测层（21，23）接触的阻挡层（22）；其中磁阻元件（1）还包括补偿铁磁层（25），所述补偿铁磁层（25）具有与第一存储磁致伸缩和/或感测磁致伸缩不同的第二磁致伸缩，并且适于补偿第一存储磁致伸缩和/或第一感测磁致伸缩，使得通过调整补偿铁磁层（25）的厚度，存储层（21）和/或感测层（23）的净磁致伸缩在‑10 ppm et +10 ppm之间可调整或者比‑10 ppm更为负。本公开涉及还涉及包括磁阻元件的磁性设备。 | ||
| 搜索关键词： | 磁致伸缩 磁阻元件 感测层 存储 铁磁层 感测 磁性设备 存储层 可调整 调整补偿 阻挡层 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻元件（1），包括：具有第一存储磁致伸缩的存储层（21）；具有第一感测磁致伸缩的感测层（23）；在存储和感测层（21，23）之间并且与存储和感测层（21，23）接触的阻挡层（22）；其特征在于磁阻元件（1）还包括具有与第一存储磁致伸缩和/或感测磁致伸缩不同的第二磁致伸缩的补偿铁磁层（25），并且其中补偿铁磁层（25）的厚度使得补偿铁磁层（25）的第二磁致伸缩补偿第一存储磁致伸缩和/或第一感测磁致伸缩，使得存储层（21）和/或感测层（23）的净磁致伸缩在‑10 ppm et +10 ppm之间或者比‑10 ppm更为负，并且其中存储层（21）和/或感测层（23）在补偿铁磁层（25）和阻挡层（22）之间。
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