[发明专利]由碳化硅构成的半导体基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201780014638.2 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108699726B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 杉山尚宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体基板，其具有SiC基板(1)及外延膜(2)，其中，使外延膜(2)的氢浓度相对于SiC基板(1)的氢浓度的浓度比成为0.2～5、优选0.5～2。由此，能够制成可抑制外延膜(2)与SiC基板(1)的边界位置处的氢的扩散、可抑制氢浓度的下降的半导体基板。因此，能够谋求使用半导体基板而形成的SiC半导体器件、例如pn二极管等双极器件的特性的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 构成 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基板，其具有：由碳化硅单晶构成且包含氢的碳化硅基板(1)、和形成于所述碳化硅基板上且包含氢的外延膜(2)，所述外延膜的氢浓度相对于所述碳化硅基板的氢浓度的浓度比被设定为0.2～5。
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