[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
| 申请号: | 201780013897.3 | 申请日: | 2017-01-24 |
| 公开(公告)号: | CN108701604B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
| 发明(设计)人: | 中井仁司;金松泰范;安藤幸嗣;岩田智巳 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/027;H01L21/306 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 在将内侧杯部(24)的上端配置于较外侧杯部(25)的上端靠下方的位置的外侧杯相对状态下,一面以通过外侧杯部(25)的内侧面接收从上表面(91)飞散的液体的方式使基板(9)以较高的转速旋转,一面朝上表面(91)上依次供给纯水、混合液及有机溶剂。接着,在内侧杯部(24)的内侧面被配置于基板(9)的周围的内侧杯相对状态下,朝上表面(91)供给填充材料溶液,在上表面(91)上填充填充材料溶液。由此,防止填充材料溶液与纯水在内侧杯部(24)内混合,从而防止填充材料溶液的胶状化等。通过供给将有机溶剂与纯水混合而成的混合液,抑制形成于上表面(91)的图案要素的倒塌。 | ||
| 搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,其中,该基板处理方法用于基板处理装置,该基板处理装置具备:外侧杯部,其围绕于在一个主表面形成有图案的基板的周围;及内侧杯部,其配置于上述外侧杯部的内侧;该基板处理方法具备:a)步骤,在将上述内侧杯部的上端配置于较上述外侧杯部的上端更靠下方的位置的第一状态下,朝通过基板旋转机构旋转的上述基板的朝向上方的上述主表面供给纯水,并由上述外侧杯部的内侧面接收从上述主表面飞散的上述纯水;b)步骤,在上述第一状态下,朝旋转的上述基板的上述主表面供给将规定的有机溶剂与纯水混合而成的混合液,并由上述外侧杯部的上述内侧面接收从上述主表面飞散的上述混合液;c)步骤,在上述第一状态下,朝旋转的上述基板的上述主表面供给上述有机溶剂,并通过上述外侧杯部的上述内侧面接收从上述主表面飞散的上述有机溶剂;d)步骤,一面在上述主表面上保持覆盖上述主表面的上述有机溶剂的液膜,一面通过使上述内侧杯部相对于上述基板上升来形成使上述内侧杯部的内侧面配置于上述基板的周围的第二状态;以及e)步骤,在上述第二状态下,通过朝上述主表面供给比重较上述有机溶剂大的填充材料溶液,在上述主表面上填充上述填充材料溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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