[发明专利]半导体装置、其制造方法、显示装置以及电子设备有效
| 申请号： | 201780012189.8 | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108738364B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 神长正美;肥冢纯一;羽持贵士;保坂泰靖 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1368;G09F9/00;G09F9/30;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;张金金 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 显示装置 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：衬底上的氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘层；以及所述栅极绝缘层上的栅电极，其中，所述栅极绝缘层包括氧氮化硅膜，并且，当利用热脱附谱分析法对所述栅极绝缘层进行分析时，在150℃以上且350℃以下的衬底温度处观察到质荷比M/z＝32的释放气体量的最大峰值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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