[发明专利]聚合物、组合物、牺牲层的形成以及用于具有其的半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201780010051.4 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108602939A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 中杉茂正;滨祐介;黑泽和则;柳田浩志;能谷刚 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料(卢森堡)有限公司 |
| 主分类号： | C08G61/02 | 分类号： | C08G61/02;C08G61/12;C08G8/02;C08G10/00;C09D161/00;C09D165/00;G03F7/11;G03F7/26;G03F7/09;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘卓然 |
| 地址： | 卢森堡国*** | 国省代码： | 卢森堡;LU |
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| 摘要： | 本发明涉及一种聚合物、组合物、牺牲层的形成和制备半导体装置的方法，其包括通过光刻法使用光致抗蚀剂制作图案的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 牺牲层 制备半导体装置 半导体装置 光致抗蚀剂 光刻法 图案 制作 | ||
【主权项】：
1.一种聚合物，包含由下式(1)表示的单元1，其中该聚合物的重均分子量(Mw)满足下式(2)，![]()
500Da≤Mw≤10,000Da式(2)，X是由下式(3)、(4)或(5)表示的结构,![]()
C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10和C11为碳，C5和C4在*位置键合以形成芳烃环，C1和C2、C2和C3、C3和C4、C5和C6、C6和C7、C8和C9、C9和C10、C10或C11任选地具有另外一个芳烃环或者另外一个或多个脂肪烃环，任选地，那些环可以被连接，任选地，那些芳烃环或脂肪烃环可以独立地被一个或多个取代基取代，或未被取代，L是碳原子数为6～18的芳烃环、‑O‑或酮，n是选自1、2、3、4或5的整数，多个L可以彼此相同或不同，Y是碳原子数为6～18的芳烃环、碳原子数为1～5的烷基或氢，以及任选地，Y、L、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10和C11可以独立地被一个或多个取代基取代，或未被取代。
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