[发明专利]多晶介电体薄膜及电容元件有效
| 申请号： | 201780006900.9 | 申请日： | 2017-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108603276B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎久美子;千原宏;永峰佑起;山崎纯一;梅田裕二 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;H01B3/00;H01G4/33 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;沈娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明目的在于提供相对介电常数大的多晶介电体薄膜及电容元件，其主要组成为钙钛矿型氮氧化物，所述钙钛矿型氮氧化物以组成式A |
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| 搜索关键词： | 多晶 介电体 薄膜 电容 元件 | ||
【主权项】：
1.一种多晶介电体薄膜，其为主要组成是钙钛矿型氮氧化物的多晶介电体薄膜，其特征为：所述钙钛矿型氮氧化物以组成式Aa1Bb1OoNn表示，其中，a1+b1+o+n＝5，所述钙钛矿型氮氧化物的晶格中的a轴长大于理论值。
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