[发明专利]用于点波束结晶的方法和系统在审
| 申请号： | 201780005976.X | 申请日： | 2017-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108604532A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·S·尹;潘文凯 | 申请（专利权）人： | 纽约市哥伦比亚大学理事会 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王小衡;任庆威 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于使薄膜结晶的方法和系统提供了激光波束点，使其在薄膜上连续地前进以创建持续的完全或部分熔融区域，其在该薄膜上平移并且结晶以形成均匀的、小粒状的晶体结构或晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 晶粒 平移 薄膜结晶 激光波束 晶体结构 系统提供 点波束 熔融 创建 | ||
【主权项】：
1.一种用于使薄膜结晶的方法，所述方法包括：提供薄膜；提供在所述薄膜上产生点的激光波束；在第一方向连续地平移所述激光波束，同时通过在每个区域中施加激光脉冲而照射所述薄膜的重叠区域以生成熔融区域，每个激光脉冲在先前照射的区域已经完全固化之前被施加；通过在重叠被照射区域的前边缘开始熔化使所述熔融区域沿所述第一方向传播；以及允许所述熔融区域冷却和固化并且在所述区域的后边缘中形成结晶区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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