[发明专利]沟槽式闸极宽能隙装置的制造在审
| 申请号： | 201780002204.0 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107851662A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 曾军;穆罕默德·达维希 | 申请（专利权）人： | 马克斯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315 | 代理人： | 许志勇,王宁 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种碳化硅(或类似的)沟槽式晶体管，其中在所有其他高温步骤已完成之后，在氧氮化气氛下，进行闸极电介质退火。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 式闸极宽能隙 装置 制造 | ||
【主权项】：
一种功率半导体装置的制造过程，包含：在实质上由碳化硅所组成的半导体块体中，在其上部以任何顺序形成第一导电类型源极区域，第二导电类型本体区域，其与位于其下面的第一导电类型块材形成接面，第一沟槽及第二沟槽，每一沟槽延伸较该本体区域来的深，一第二导电类型屏蔽区域，其位于该第一沟槽的下方，但不位于该第二沟槽的下方，以及额外的掺杂修饰成分，其位于该半导体块体的第一导电类型块材之中；施加热量以活化该源极区域、该本体区域、该屏蔽区域以及该额外的掺杂修饰成分中的掺杂物；由在该第二沟槽的侧壁上形成包含氧化硅的薄闸极电介质、在高于1000℃的富氮氧化气氛中对该薄闸极电介质进行退火以及在该薄闸极电介质上形成导电闸极电极，来进行绝缘闸极制造；以及形成敷金属以完成操作装置的制造；其中在进行绝缘闸极制造的步骤完成之后，不施加高于1200℃的非瞬时加热步骤。
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