[发明专利]多层面存储器装置及操作方法有效
| 申请号： | 201780000921.X | 申请日： | 2017-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN108140416B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 作井浩司 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一些实施例包含使用以下各项的设备及方法：衬底；第一存储器单元块，其包含定位于所述衬底上方的第一存储器单元串，及耦合到所述第一存储器单元串的第一数据线；第二存储器单元块，其包含定位于所述第一存储器单元块上方的第二存储器单元串，及耦合到所述第二存储器单元串的第二数据线；第一导电路径，其定位于所述衬底上方且耦合于所述第一数据线与所述设备的缓冲器电路之间；及第二导电路径，其定位于所述衬底上方且耦合于所述第二数据线与所述缓冲器电路之间。所述第一导电路径及所述第二导电路径中无任何导电路径由所述第一存储器单元块与所述第二存储器单元块共享。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 存储器 装置 操作方法 | ||
【主权项】：
一种设备，其包括：衬底；第一存储器单元块，其包含定位于所述衬底上方的第一存储器单元串，及耦合到所述第一存储器单元串的第一数据线；第二存储器单元块，其包含定位于所述第一存储器单元块上方的第二存储器单元串，及耦合到所述第二存储器单元串的第二数据线；第一导电路径，其定位于所述衬底上方且耦合于所述第一数据线与所述设备的缓冲器电路之间；及第二导电路径，其定位于所述衬底上方且耦合于所述第二数据线与所述缓冲器电路之间，其中所述第一导电路径及所述第二导电路径中无任何导电路径由所述第一存储器单元块与所述第二存储器单元块共享。
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