[发明专利]阵列基板、具有该阵列基板的显示面板和阵列基板的制造方法有效
申请号: | 201780000384.9 | 申请日: | 2017-06-01 |
公开(公告)号: | CN109328398B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 胡春静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H10K59/12 | 分类号: | H10K59/12;H10K50/80;H10K71/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗瑞芝;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种阵列基板,其具有子像素区域(S)和子像素间区域(IS)。阵列基板包括:衬底基板(1);薄膜晶体管(5),其位于衬底基板(1)上并且包括漏极(5a);钝化层(2),其位于薄膜晶体管(5)的远离衬底基板(1)的一侧;像素电极层(3),其位于钝化层(2)的远离衬底基板(1)的一侧;像素限定层(4),其位于像素电极层(3)的远离钝化层(2)的一侧的子像素间区域(IS)内并且限定所述子像素区域(S);以及有机发光层(7),其位于像素电极层(3)的远离钝化层(2)的一侧的子像素区域(S)内。阵列基板包括延伸通过钝化层(2)的过孔(6)。像素电极层(3)通过过孔(6)与薄膜晶体管(5)的漏极(5a)电连接。过孔(6)在子像素区域(S)内。 | ||
搜索关键词: | 阵列 具有 显示 面板 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,具有子像素区域和子像素间区域,并且包括:衬底基板;薄膜晶体管,其位于所述衬底基板上并且包括漏极;钝化层,其位于所述薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧;像素电极层,其位于所述钝化层的远离所述衬底基板的一侧;像素限定层,其位于所述像素电极层的远离所述钝化层的一侧的子像素间区域内并且限定所述子像素区域;以及有机发光层,其位于所述像素电极层的远离所述钝化层的一侧的子像素区域内;其中,所述阵列基板包括延伸通过所述钝化层的过孔;所述像素电极层通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接;并且所述过孔在所述子像素区域内。
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