[实用新型]一种瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 201721926886.8 | 申请日： | 2017-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN207781593U | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;余晓明 | 申请（专利权）人： | 深圳傲威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/768;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 韩国辉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种瞬态电压抑制器，包括芯片本体，该芯片本体的电极从芯片本体的背面引出，芯片本体正面具有玻璃面板，玻璃面板与芯片本体相互键合。芯片本体背面刻蚀有深槽及深孔，深槽及深孔贯穿芯片本体，金属通过深槽深孔与焊盘相连。芯片本体背面还分布有金属连线与锡球。该瞬态电压抑制器采用深槽深孔刻蚀，不会有横向扩散，可以节省芯片面积，金属通过深槽深孔直接与正面的焊盘相连，其导通电阻较低。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片本体 深槽 深孔 瞬态电压抑制器 玻璃面板 焊盘 背面 本实用新型 金属 背面刻蚀 导通电阻 横向扩散 金属连线 电极 键合 刻蚀 锡球 芯片 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种瞬态电压抑制器，包括芯片本体，其特征在于：该芯片本体的电极从芯片本体的背面引出，芯片本体正面具有玻璃面板，玻璃面板与芯片本体相互键合；芯片本体背面刻蚀有深槽及深孔，深槽及深孔贯穿芯片本体，金属通过深槽深孔与焊盘相连；芯片本体背面还分布有金属连线与锡球。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
