[实用新型]一种MOS场效应管的封装框架有效
| 申请号： | 201721878396.5 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN207690791U | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 宁波;刘义芳 | 申请（专利权）人： | 西安华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市经*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOS场效应管的封装框架，其包括D极焊接载体、S极打线基岛、G极打线基岛、G极引脚、S极引脚；所述D极焊接载体的下方一侧设置G极打线基岛，另一侧设置S极打线基岛，所述D极焊接载体上设置有晶圆，所述晶圆通过至少两组铝带引线与S极打线基岛连接以及通过引线与G极打线基岛连接；所述G极引脚的一端设置在G极打线基岛上，所述S极打线基岛上依次引出六组S极引脚。本实用新型将原有分开的两个打线基岛连接一起，后续铝带打线时，可实现根据需求选择合适宽度的铝带或者铝线，不再受分到两个打线基岛的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 打线 基岛 引脚 铝带 焊接 本实用新型 封装框架 晶圆 铝线 需求选择 一端设置 两组 | ||
【主权项】：
1.一种MOS场效应管的封装框架，其特征在于，其包括D极焊接载体、S极打线基岛、G极打线基岛、G极引脚、S极引脚；所述D极焊接载体的下方一侧设置G极打线基岛，另一侧设置S极打线基岛，所述D极焊接载体上设置有晶圆，所述晶圆通过至少两组铝带引线与S极打线基岛连接以及通过引线与G极打线基岛连接；所述G极引脚的一端设置在G极打线基岛上，所述S极打线基岛上依次引出六组S极引脚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安华羿微电子股份有限公司，未经西安华羿微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721878396.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于QFN封装的引线框架
- 下一篇：一种具有反向耐压高的肖特基瓷整流桥
