[实用新型]一种抗耐压冲击软关断的IGBT器件结构有效
| 申请号： | 201721875361.6 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN207690799U | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;张硕 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种抗耐压冲击软关断IGBT器件结构及其制造方法，在IGBT器件的截面上，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区的上表面为第一主面，下表面为第二主面，第二主面侧设置有第二导电类型集电区，其特征在于，在第二主面侧，第二导电类型集电区与第一导电类型漂移区间设置有第一导电类型电场缓冲层，从第一主面指向第二主面的方向上，第一导电类型电场缓冲层中第一导电类型杂质离子的掺杂浓度分布呈梯度逐渐增大；本实用新型通过优化背面电场缓冲层结构，用于弱化电场下降斜率，提升器件耐电压冲击能力，同时降低空穴的复合速率，降低电流的关断速度，实现器件的软关断特性。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 主面 电场 软关断 本实用新型 导电类型 缓冲层 集电区 漂移区 耐压 空穴 漂移 半导体器件 缓冲层结构 耐电压冲击 背面电场 浓度分布 提升器件 下降斜率 杂质离子 逐渐增大 上表面 下表面 关断 制造 掺杂 弱化 指向 复合 优化 | ||
【主权项】：
1.一种抗耐压冲击软关断的IGBT器件结构，包括：在所述IGBT器件的俯视平面上，包括位于器件中心区的有源区和位于有源区外围的终端保护区；在所述IGBT 器件的截面上，包括第一导电类型漂移区，所述第一导电类型漂移区的上表面为第一主面，下表面为第二主面，所述第二主面侧设置有第二导电类型集电区，其特征在于，在第二主面侧，所述第二导电类型集电区与第一导电类型漂移区间设置有第一导电类型电场缓冲层，从第一主面指向第二主面的方向上，所述第一导电类型电场缓冲层中第一导电类型杂质离子的掺杂浓度分布呈梯度逐渐增大。
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