[实用新型]一种低相位噪声、宽频域CMOS集成压控振荡器

摘要

本实用新型公开低相位噪声、宽频域CMOS集成压控振荡器，电路包括主振电路和辅助电路组成，所述主振电路由LC无源网络、至少一个PMOS和NMOS组成的有源负载组成；辅助电路由LC滤波电路以及电容调谐阵列组成；所述主振电路采用差分电路形式，所述辅助电路采用尾电流源滤波；主振电路采用差分电路形式，使电路输出波形对称，有效降低振荡器相位噪声，辅助电路采用尾电流源滤波可以大幅度降低尾电流源噪声，另外采用双电容阵列可以对频率进行粗调和细调，振荡器输出波形不仅频域宽，而且调谐线性度高。通过以上方法，可以获得一款低相位噪声、宽频域的振荡器。该振荡器在1M的频偏下相位噪声<‑115dBc@Hz，调谐范围可达30％，可广泛用于提供优秀频率源的集成电路中。

主权项

1.一种低相位噪声、宽频域CMOS集成压控振荡器，用于向外部提供优秀频率源电路，其特征在于，电路包括主振电路和辅助电路组成，所述主振电路由LC无源网络、至少一个MOS和NMOS组成的有源负载组成；辅助电路由LC滤波电路以及电容调谐阵列组成；所述主振电路采用差分电路形式，所述辅助电路采用尾电流源滤波；所述主振电路包括C1、C2、C3、L1、L2以及N1、N2、N3，所述无源网络中C1、C2串联再和所述电感L1并联，所述NMOS有源负载由N1和N2两个NMOS管构成，其中N1的栅极接N2的漏极，N2的栅极接N1的漏极，N1和N2的源极接同一个电位；所述PMOS有源负载由P1和P2构成，其中P1的栅极接P2的漏极，P2的栅极接P1的漏极，P1和P2的源极接VDD；三个子电路中P1和N1的漏极与电感和电容的一端连接在一起作为输出V01，P2和N2的漏极与电容和电感的另一端连接在一起作为输出V02。