[实用新型]用于系统级封装的防静电转接板有效
| 申请号： | 201721766738.4 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN207753012U | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于系统级封装的防静电转接板，包括：Si衬底(101)；至少两个TSV区(102)，设置于所述Si衬底(101)内；至少两个隔离区(103)，设置于所述Si衬底(101)内并位于每两个所述TSV区(102)之间；二极管(104)，设置于所述隔离区(103)之上；互连线(105)，对所述TSV区(102)的第一端面和所述二极管(104)进行串行连接。本实用新型提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 衬底 集成电路系统 抗静电能力 系统级封装 防静电 隔离区 封装 本实用新型 串行连接 转接 互连线 转接板 加工 | ||
【主权项】：
1.一种用于系统级封装的防静电转接板，其特征在于，包括：Si衬底(101)；至少两个TSV区(102)，设置于所述Si衬底(101)内，所述TSV区(102)内的材料为多晶硅；至少两个隔离区(103)，设置于所述Si衬底(101)内并位于每两个所述TSV区(102)之间；二极管(104)，设置于所述隔离区(103)之上；互连线(105)，对所述TSV区(102)的第一端面和所述二极管(104)进行串行连接；铜凸点(107)，设置于所述TSV区(102)的第二端面上；绝缘层(108)，设置于所述Si衬底(101)上表面和下表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
