[实用新型]一种改善刻蚀过程中硅片表面水膜均匀性的装置

摘要

一种改善刻蚀过程中硅片表面水膜均匀性的装置，包括水刀、喷嘴、若干个滚轮，水刀横向设置，水刀内部中空，水刀侧壁下方内嵌喷嘴，喷淋水流从水刀、喷嘴流出，若干个滚轮位于喷嘴下方，若干个滚轮在水平面上排列，硅片位于若干个滚轮上，其特征在于，包括薄膜，以滚轮前进方向为参考方向薄膜位于水刀后侧，薄膜上端固定设置在滚轮上方，薄膜长度大于薄膜到硅片的垂直距离。本实用新型提升了硅片表面水膜的均匀性，可靠性高，改造成本低，提高产品质量的同时降低了因水膜掉水导致反应槽药液浓度被稀释的风险，降低了化学品的损失耗。

主权项

1.一种改善刻蚀过程中硅片表面水膜均匀性的装置，包括水刀(1)、喷嘴(2)、若干个滚轮(3)，所述水刀(1)横向设置，所述水刀(1)内部中空，所述水刀(1)侧壁下方内嵌喷嘴(2)，喷淋水流(5)从水刀(1)、喷嘴(2)流出，若干个所述滚轮(3)位于所述喷嘴(2)下方，若干个所述滚轮(3)在水平面上排列，硅片(4)位于若干个所述滚轮(3)上，其特征在于，包括薄膜(7)，以滚轮(3)前进方向为参考方向所述薄膜(7)位于所述水刀(1)后侧，所述薄膜(7)上端固定设置在所述滚轮(3)上方，所述薄膜(7)长度大于所述薄膜(7)到所述硅片(4)的垂直距离。