[实用新型]一种高压启动电路结构有效
| 申请号： | 201721759535.2 | 申请日： | 2017-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN207706483U | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 吴坚 | 申请（专利权）人： | 无锡昌至盛机械制造有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/08 | 分类号： | H05B33/08 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 张宁;杨辰 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种高压启动电路结构，其电路结构设计简单合理，可以自关断，启动和关断速度超快速，可大大降低功耗，有效防止MOS管损坏问题的出现，其包括电阻R1、R2，电阻R1、R2的一端连接后连接高压源HV，电阻R1的另一端分别连接三极管Q1的基极、NMOS场效应管Q3的漏极d、使能端口IN，三极管Q1的集电极分别连接电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极，三极管Q1的发射极连接三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极分别连接NMOS场效应管Q3的衬底p、电容C1一端、直流电压源VCC，电容C1的另一端与NMOS场效应管Q3的柵极g、源极s连接后接地。 | ||
| 搜索关键词： | 三极管 场效应管 电阻 高压启动电路 集电极 电容 电路结构设计 本实用新型 发射极连接 直流电压源 降低功耗 连接电阻 一端连接 接地 发射极 高压源 自关断 衬底 关断 漏极 使能 源极 | ||
【主权项】：
1.一种高压启动电路结构，其包括电阻R1、R2，所述电阻R1、R2的一端连接后连接高压源HV，其特征在于，所述电阻R1的另一端分别连接三极管Q1的基极、NMOS场效应管Q3的漏极d、使能端口IN，所述三极管Q1的集电极分别连接所述电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极，所述三极管Q1的发射极连接所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极分别连接所述NMOS场效应管Q3的衬底p、电容C1一端、直流电压源VCC，所述电容C1的另一端与所述NMOS场效应管Q3的柵极g、源极s连接后接地。
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