[实用新型]半导体晶片兆声清洗装置有效

专利信息
申请号: 201721700739.9 申请日: 2017-12-08
公开(公告)号: CN207602528U 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 李晓岚;王阳;孙聂枫;刘惠生;孙同年 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;B08B7/02
代理公司: 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 代理人: 王苑祥
地址: 050000 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 实用新型公开了一种半导体晶片兆声清洗装置,涉及半导体集成电路器件清洗技术领域,包括用于吸附半导体晶片的真空吸盘、与所述真空吸盘配套的旋转驱动装置、设置在所述真空吸盘上方的兆声喷头、与所述兆声喷头相连的兆声发生器,其特征在于:在所述真空吸盘外设有废水收集装置,所述废水收集装置包括位于真空吸盘下方并且呈环形的收集槽、与所述收集槽外壁相连的集水筒以及与所述收集槽相通的排水管,所述集水筒的顶端面高于所述兆声喷头的下端面。本实用新型的有益技术效果是:能够有效收集清洗过程中产生的废水,防止对晶片产生二次污染。
搜索关键词: 真空吸盘 喷头 废水收集装置 兆声清洗装置 半导体晶片 本实用新型 集水筒 收集槽 半导体集成电路器件 吸附半导体晶片 旋转驱动装置 收集槽外壁 兆声发生器 排水管 二次污染 技术效果 清洗过程 清洗技术 有效收集 顶端面 配套的 下端面 晶片 废水 相通
【主权项】:
1.一种半导体晶片兆声清洗装置,包括用于吸附半导体晶片的真空吸盘(6)、与所述真空吸盘(6)配套的旋转驱动装置、设置在所述真空吸盘(6)上方的兆声喷头(4)、与所述兆声喷头(4)相连的兆声发生器(1),其特征在于:在所述真空吸盘(6)外设有废水收集装置,所述废水收集装置包括位于真空吸盘(6)下方并且呈环形的收集槽(9)、与所述收集槽(9)外壁相连的集水筒(10)以及与所述收集槽(9)相通的排水管(8),所述集水筒(10)的顶端面高于所述兆声喷头(4)的下端面。
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