[实用新型]一种自控抑制二极管有效
申请号: | 201721656131.0 | 申请日: | 2017-12-02 |
公开(公告)号: | CN208271908U | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 刘梦珠 | 申请(专利权)人: | 深圳市嘉兴南电科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L23/58;H01L23/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518102 广东省深圳市宝安区西*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种自控抑制二极管,包括外壳组件、保护组件和绝缘组件,所述第一引线和二极管壳,所述外壳组件包括第一引线贯穿所述二极管壳,且与所述二极管壳固定连接,所述保护组件包括凹模、凸模,所述凹模位于所述第一引线的外侧壁,所述第一引线与外部电源电性连接,所述凹模的右侧设有所述凸模;在抑制二极管引线端口处设有凸模和凹模,通过凸模上的凸块导入到凹模内的凹槽内,使凸模和凹模之间固定,从而间接的将引线端口处进行保护,降低了端口磨损折断的情况,从而降低了抑制二极管的损坏率,并且在保护层和外壳的连接处设有绝缘圈,通过绝缘层的有效的防止了抑制二极管内部漏电流的情况。 | ||
搜索关键词: | 凹模 抑制二极管 凸模 二极管 保护组件 外壳组件 引线端口 自控 绝缘层 本实用新型 电性连接 绝缘组件 外部电源 保护层 绝缘圈 漏电流 损坏率 外侧壁 折断 凸块 磨损 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种自控抑制二极管,其特征在于:包括外壳组件(10)、保护组件(20)和绝缘组件(30),所述外壳组件(10)包括第一引线(11)和二极管壳(18),所述第一引线(11)贯穿所述二极管壳(18),且与所述二极管壳(18)固定连接,所述保护组件(20)包括凹模(21)、凸模(22),所述凹模(21)位于所述第一引线(11)的外侧壁,所述第一引线(11)与外部电源电性连接,所述凹模(21)的右侧设有所述凸模(22),所述凹模(21)与所述凸模(22)固定连接,所述凹模(21)包括凹模本体(211)和凹槽(212),所述凹槽(212)位于所述凹模本体(211)的内部,且与所述凹模本体(211)固定连接,所述凸模(22)包括凸模本体(221)、橡胶圈(222)和凸块(223),所述橡胶圈(222)位于所述凸模本体(221)的内侧壁,且与所述凸模本体(221)固定连接,所述凸模本体(221)的左端固定有所述凸块(223),所述绝缘组件(30)包括绝缘圈(31),所述绝缘圈(31)位于所述第一引线(11)的外侧壁,所述绝缘圈(31)与所述二极管壳(18)固定连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市嘉兴南电科技有限公司,未经深圳市嘉兴南电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721656131.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:超结场效应管
- 下一篇:一种采用玻璃钝化芯片封装的齐纳稳压二极管
- 同类专利
- 专利分类