[实用新型]一种磷化铟单晶受控生长装置有效
| 申请号： | 201721640945.5 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN207512313U | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 朱建华 | 申请（专利权）人： | 广东天鼎思科新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B11/00 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 512000 广东省韶关市浈*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种磷化铟单晶受控生长装置，包括密闭高压腔、安装在密闭高压腔内的加热炉腔、安瓿支撑座、石英安瓿、PBN坩埚以及石英帽；加热炉腔安装固定在密闭高压腔的内部，安瓿支撑座设置在加热炉腔的内部下方，石英安瓿设置在安瓿支撑座上端，PBN坩埚可拆卸地设置在石英安瓿的内部，石英帽设置在PBN坩埚的上端且与PBN坩埚围成密封的空间；安瓿支撑座上端的中心轴向设置有一加热管，石英安瓿的下端配合伸进加热管中。本实用新型能够降低磷化铟单晶生长过程中的固液界面曲率及热应力，并且磷化铟单晶生长过程的温度梯度可以受控。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化铟单晶 石英安瓿 支撑座 安瓿 加热炉腔 密闭高压 上端 受控 本实用新型 生长过程 生长装置 加热管 石英帽 曲率 安装固定 固液界面 温度梯度 中心轴向 可拆卸 热应力 腔内 伸进 下端 密封 配合 | ||
【主权项】：
1.一种磷化铟单晶受控生长装置，包括密闭高压腔、安装在密闭高压腔内的加热炉腔、安瓿支撑座、石英安瓿、PBN坩埚以及石英帽；其特征在于：加热炉腔安装固定在密闭高压腔的内部，安瓿支撑座设置在加热炉腔的内部下方，石英安瓿设置在安瓿支撑座上端，PBN坩埚可拆卸地设置在石英安瓿的内部，石英帽设置在PBN坩埚的上端且与PBN坩埚围成密封的空间；安瓿支撑座上端的中心轴向设置有一加热管，石英安瓿的下端配合伸进加热管中。
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