[实用新型]一种KU波段PLL单芯片扩展型全频降频器

摘要

本实用新型公开了一种KU波段PLL单芯片扩展型全频降频器，包括PLL锁相环芯片IC3、MOS管Q1和MOS管Q3，所述MOS管Q1的栅极连接电容C3、电容C7和电阻R3，电容C3的另一端连接MOS管Q2的漏极、电容C6和电阻R4，MOS管Q2的栅极连接电阻R6。本实用新型采用高集成锁相回路的振荡方式；由鉴相器、环路滤波、压控振荡器、倍频运算等构成稳定的双本振系统；解决了传统介质振荡方式的频率不稳定、及高低温环境中频率变化大的现象；在生产制程中省去了人工调试的工序、节省人力成本及提高产品良率。

主权项

1.一种KU波段PLL单芯片扩展型全频降频器，包括PLL锁相环芯片IC3、MOS管Q1和MOS管Q3，其特征在于，所述MOS管Q1的栅极连接电容C3、电容C7和电阻R3，电容C3的另一端连接MOS管Q2的漏极、电容C6和电阻R4，MOS管Q2的栅极连接电阻R6，电阻R6的另一端连接电容C11和PLL锁相环芯片IC3的脚2，电阻R4的另一端连接PLL锁相环芯片IC3的脚1，MOS管Q1的漏极连接电容C2、电容C9和电阻R7，电阻R7的另一端连接PLL锁相环芯片IC3的脚32，电容C2的另一端连接PLL锁相环芯片IC3的脚34和PLL锁相环芯片IC3的脚35，PLL锁相环芯片IC3的脚4连接电机SMD1，PLL锁相环芯片IC3的脚6连接电机SMD1的另一端，所述MOS管Q3的栅极连接电容C18、电容C22和电阻R10，电容C18的另一端连接MOS管Q4的漏极、电容C20和电阻R11，MOS管Q4的栅极连接电阻R12，电阻R12的另一端连接电容C24和PLL锁相环芯片IC3的脚8，电阻R11的另一端连接PLL锁相环芯片IC3的脚9，MOS管Q3的漏极连接电容C16、电容C23和电阻R13，电阻R13的另一端连接PLL锁相环芯片IC3的脚14，电容C16的另一端连接PLL锁相环芯片IC3的脚11和PLL锁相环芯片IC3的脚12，PLL锁相环芯片IC3的脚23连接二极管D1的阴极、二极管D2的阴极、二极管D3的阴极和二极管D4的阴极，二极管D1的阳极连接电容C4和芯片IC1的引脚3，芯片IC1的引脚1连接电容C5和输出端口S1，二极管D2的阳极连接电容C10和芯片IC2的引脚3，芯片IC2的引脚1连接电容C12和输出端口S2，二极管D3的阳极连接电容C14和芯片IC4的引脚3，芯片IC4的引脚1连接电容C15和输出端口S3，二极管D4的阳极连接电容C19和芯片IC5的引脚3，芯片IC5的引脚1连接电容C21和输出端口S4。