[实用新型]CMOS低压差线性稳压器、芯片有效

专利信息
申请号: 201721481483.7 申请日: 2017-11-08
公开(公告)号: CN207337258U 公开(公告)日: 2018-05-08
发明(设计)人: 聂海;宋登明;王银 申请(专利权)人: 成都市海芯微纳电子科技有限公司;成都信息工程大学
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567;G05F1/569;G05F1/573
代理公司: 成都天汇致远知识产权代理事务所(普通合伙) 51264 代理人: 韩晓银
地址: 610093 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种CMOS低压差线性稳压器、芯片,其中,CMOS低压差线性稳压器,包括依次连接的偏置电路、带隙基准源电路、误差放大电路、过温保护电路、过流保护电路以及输出电路;所述偏置电路,采用与电源电压无关以及与温度系数相反的电阻串联的偏置结构;所述带隙基准源电路,采用与绝对温度成正比的电流型带隙基准结构;所述误差放大电路,采用三级运放结构;所述过温保护电路,由比较器、温度检测控制电路和温度回滞控制电路构成;所述过流保护电路,由比较器和电流采样控制电路构成;所述输出电路,采用功率调整管和负载级联的结构。本实用新型良好地解决了无电容型低压差线性稳压器的稳定性问题。
搜索关键词: cmos 低压 线性 稳压器 芯片
【主权项】:
1.一种CMOS低压差线性稳压器,其特征在于,包括依次连接的偏置电路、带隙基准源电路、误差放大电路、过温保护电路、过流保护电路以及输出电路;所述偏置电路,采用与电源电压无关以及与温度系数相反的电阻串联的偏置结构;所述带隙基准源电路,采用与绝对温度成正比的电流型带隙基准结构;所述误差放大电路,采用三级运放结构;所述过温保护电路,由比较器、温度检测控制电路和温度回滞控制电路构成;所述过流保护电路,由比较器和电流采样控制电路构成;所述输出电路,采用功率调整管和负载级联的结构。
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