[实用新型]一种高耐压光电耦合器

摘要

本实用新型涉及一种高耐压光电耦合器。它包括基体，基体上设有多支引脚，基体内封装有发光二极管和光敏三极管晶片，光敏三极管晶片的发射极、集电极分别与基体上的第三引脚、第四引脚连接，发射极包括方环状电极圈和圆环状电极圈，方环状电极圈和圆环状电极圈分别设于光敏三极管晶片的上表面四周和中心，本实用新型采用专门定制的高耐压光敏三极管晶片，本实用新型的光敏三极管晶片尺寸增大了，而且也增大了光敏三极管晶片与电极的接触面积，从而提高了本实用新型的耐压性和增大了传输比，即使在高电压的工作环境，本实用新型耦合器也能稳定、正常的工作，保证使用本实用新型光电耦合器的产品能在高电压的环境下稳定、正常的工作。

主权项

1.一种高耐压光电耦合器，包括基体，所述基体上设有第一引脚、第二引脚、第三引脚以及第四引脚，所述基体内封装有发光二极管和光敏三极管晶片，所述发光二极管的正极、负极分别与基体上的第一引脚、第二引脚连接，所述光敏三极管晶片的发射极、集电极分别与基体上的第三引脚、第四引脚连接，所述光敏三极管晶片呈长方形状，所述发射极包括方环状电极圈和圆环状电极圈，所述方环状电极圈和圆环状电极圈分别设于光敏三极管晶片的上表面四周和中心，方环状电极圈与圆环状电极圈相连，所述方环状电极圈与圆环状电极圈之间的区域为光敏三极管晶片的感光区，所述光敏三极管晶片的集电极设于其上表面上，所述方环状电极圈和圆环状电极圈同中心设置，所述发射极通过金线与基体上的第三引脚连接，集电极通过金线与基体上的第四引脚连接，所述光敏三极管晶片的长为1100‑1200um，宽为1100‑1200um，所述第一引脚、第二引脚、第三引脚、以及第四引脚每个单独地引出到所述基体的外面作为接线引脚，所述第一、第二引脚位于基体的一侧，第三引脚和第四引脚位于基体的另一侧。