[实用新型]一种高性能常关型的GaN场效应晶体管有效
| 申请号： | 201721420258.2 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN207664047U | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;郑介鑫 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈伟斌 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件制备的技术领域，更具体地，涉及一种高性能常关型的GaN场效应晶体管。该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层、栅介质层、栅极、漏极、源极。所述外延层包括一次外延生长的应力缓冲层及GaN沟道层，通过掩膜图形化及刻蚀工艺，仅在栅极区域保留掩膜，利用原位刻蚀去除接入区的掩膜残留及表面玷污后，选择区域生长AlGaN/GaN异质结结构形成凹槽沟道。栅极金属覆盖于凹槽沟道处，器件两端形成源极和漏极区并覆盖金属形成源极和漏极。本实用新型器件结构和制备工艺简单可靠，原位刻蚀接入区能减少掩膜制备过程中在器件接入区引入的缺陷杂质，得到高质量的接入区界面，保证二次外延AlGaN/GaN异质结构质量，从而提高常关型GaN场效应晶体管的导通性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 掩膜 源极 本实用新型 凹槽沟道 外延层 衬底 刻蚀 漏极 生长 半导体器件制备 异质结结构 应力缓冲层 导通性能 金属形成 刻蚀工艺 器件结构 选择区域 掩膜图形 一次外延 异质结构 栅极金属 栅极区域 栅介质层 制备工艺 制备过程 漏极区 覆盖 去除 玷污 残留 引入 保留 保证 | ||
【主权项】：
1.一种高性能常关型的GaN场效应晶体管，其特征在于，包括由下往上依次包括衬底（1），应力缓冲层（2），GaN沟道层（3），原位刻蚀接入区的GaN沟道层后生长二次外延层（4），去除栅极掩膜形成凹槽栅结构并在表面沉积一层栅介质层（5），器件两端去除栅介质层（5）并形成源极（6）和漏极（7），凹槽栅极区域的栅介质层（5）上覆盖有栅极（8）。
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