[实用新型]一种用于晶体生长的抽真空装置

摘要

本实用新型涉及到一种用于晶体生长的抽真空装置，通过生长装置中抽真空装置在晶体生长过程中合理的控制坩埚内部的气压，对炉内压力场进行优化，从而来保证坩埚内部压力的合理分布从而控制晶体的品质，本实用新型用于晶体生长的抽真空装置，其结构简单，用于一系列易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长，具有广泛的应用价值。

主权项

一种用于晶体生长的抽真空装置，其特征在于，包括第一干泵(1)、第二干泵(2)、与炉体依次连接的第一气动插板阀(3)、第二气动插板阀(4)、与第一气动插板阀相连接的第一分子泵(5)、与第二气动插板阀相连接的第二分子泵(6)、与第一分子泵相连接的第一气动阀(7)、与第二分子泵相连接的第二气动阀(8)、与炉体相连接真空规(9)、与真空规相连接的第三气动阀(10)、与所述第一气动阀、第二气动阀分别连接的连接的压力计(11)、变频器(12)、第四气动阀(13)，所述第四气动阀与压力计连接，所述变频器分别与第二干泵、第四气动阀相连接，所述第一气动阀、第二气动阀、第三气动阀分别与第一干泵相连接。