[实用新型]一种基于CMOS的X光数字图像传感器有效
| 申请号： | 201721303859.5 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN207367979U | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 段明浩 | 申请（专利权）人： | 西安瀚维光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;C23C14/24;C23C14/04;C23C14/06 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 李郑建 |
| 地址： | 710119 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于CMOS的X光数字图像传感器，包括掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体晶体薄膜和光学反射薄膜；掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体晶体薄膜直接蒸镀于CMOS图像传感器芯片的感光面上，光学反射膜蒸镀于闪烁体晶体膜上。本实用新型通过在CMOS芯片的感光面上直接蒸镀微量掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体薄膜，可以实现碘化铯闪烁体薄膜与CMOS感光面的紧密的光学耦合，提高了X光图像传感器的光电转换效率和图像光学分辨率，并且，光学耦合效率的一致性、均匀性都超过传统方式。此外，由于对图像传感器模组整体进行了纳米级防护镀膜，从而大大提高了对碘化铯闪烁体晶体薄膜的防水或防湿气保护性能；实现在恶略环境下正常工作的目标。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 数字图像 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种基于CMOS的X光数字图像传感器，其特征在于：包括掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体晶体薄膜(4)和光学反射薄膜(5)；所述的掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体晶体薄膜(4)设于CMOS图像传感器芯片(3)的感光面上，所述的光学反射薄膜(5)设于掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体晶体薄膜(4)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
