[实用新型]介电薄膜及介电层结构有效
| 申请号： | 201721271650.5 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN207353258U | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种介电薄膜及介电层结构，所述介电薄膜包括：基面，其形成有若干羟基(OH键)；以及二元或多元介电薄膜在一原子层沉积层中，包括由第一前驱体与所述基面上所述羟基(OH键)的第一部分化学吸附并反应形成的诱电介电材料，以及由第二前驱体与所述基面上所述羟基(OH键)的第二部分化学吸附并反应形成的抗漏电流介电材料。本实用新型的流程方式既能减缓电容值降低的现象，也能大幅提升低漏电的特性，从而优化介电层结构的电容特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 介电层 结构 | ||
【主权项】：
1.一种介电薄膜，其特征在于，包括：基面，其形成有若干羟基(OH键)；以及二元或多元介电薄膜在一原子层沉积层中，包括由第一前驱体与所述基面上所述羟基(OH键)的第一部分化学吸附并反应形成的诱电介电材料，以及由第二前驱体与所述基面上所述羟基(OH键)的第二部分化学吸附并反应形成的抗漏电流介电材料。
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