[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201721170305.2 | 申请日: | 2017-09-12 |
公开(公告)号: | CN207165572U | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 程鸿飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型实施例提供了一种阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域,使得像素电极下方或上方的有机材料中的排气难以渗透到下方的有源层中,保证了TFT器件的稳定性。该阵列基板包括有源层;栅极绝缘层;栅极;层间绝缘层;源极、漏极;钝化层;像素电极;源极通过贯穿层间绝缘层、栅极绝缘层的第一过孔与有源层连接,漏极通过贯穿层间绝缘层、栅极绝缘层的第二过孔与有源层连接;或者,源极通过贯穿层间绝缘层的第一过孔与有源层连接,漏极通过贯穿层间绝缘层的第二过孔与有源层连接;钝化层的部分区域覆盖在漏极位于第二过孔内的部分上;像素电极通过贯穿钝化层的第三过孔与漏极连接。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括衬底基板;所述衬底基板划分有多个像素区域;其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板上方、且设置在每个所述像素区域内的有源层;位于所述有源层上方的栅极绝缘层;位于所述栅极绝缘层上方、且对应于所述有源层的栅极;位于所述栅极上方的层间绝缘层;位于所述层间绝缘层上方的源极、漏极;位于所述源极、所述漏极上方的钝化层;位于所述钝化层上方的像素电极;其中,所述源极通过贯穿所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层的第一过孔与所述有源层连接,所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层的第二过孔与所述有源层连接;或者,所述栅极绝缘层仅位于所述有源层上对应于所述栅极的区域内,所述源极通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与所述有源层连接,所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔与所述有源层连接;所述钝化层的部分区域覆盖在所述漏极位于所述第二过孔内的部分上;所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第三过孔与下方的所述漏极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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