[实用新型]一种高压铂扩散快恢复二极管

摘要

本实用新型公开了一种高压铂扩散快恢复二极管，包括衬底层、生长在衬底层上的外延层、外延层为N型半导体，外延层上设有多条限位片，两相邻限位片之间的外延层上注入硼，从下到上形成P+区和P++区，构成P++P+结，外侧限位片的外周和衬底层注磷形成N+区，构成P++P+NN+结构，P++区和外侧限位片外周的N+区上溅射有铂层，外延层中部的P++P+结和外侧限位片外周的N+区上沉积有正极接触金属层，外延层中部的P++P+结和外侧限位片外周的N+区之间的P++P+结上设置有电性隔离层，衬底层远离外延层的一面沉积有负极接触金属层。其通过扩散铂层有效降低了器件少数载流子寿命τ从而缩短反向恢复时间Trr。

主权项

一种高压铂扩散快恢复二极管，其特征在于，包括衬底层、生长在衬底层上的外延层、所述外延层为N型半导体，所述外延层上设有多条限位片，两相邻限位片之间的外延层上注入硼，从下到上形成P+区和P++区，构成P++P+结，外侧限位片的外周和衬底层注磷形成N+区，构成P++P+NN+结构，所述P++区和外侧限位片外周的N+区上溅射有铂层，所述外延层中部的P++P+结和外侧限位片外周的N+区上沉积有正极接触金属层，所述外延层中部的P++P+结和外侧限位片外周的N+区之间的P++P+结上设置有电性隔离层，所述衬底层远离外延层的一面沉积有负极接触金属层。