[实用新型]肖特基器件

摘要

本实用新型公开了肖特基器件。一种肖特基器件包括第一导电类型的碳化硅(SiC)基底、漂移层、槽、第二导电类型的势垒层、导电材料、第一电极、和第二电极。漂移层由SiC形成且位于SiC基底上。漂移层具有第一导电类型且杂质浓度低于SiC基底的杂质浓度。漂移层具有顶表面和底表面，底表面接触SiC基底。槽从漂移层的顶表面朝向SiC基底延伸。势垒层接触漂移层并且覆盖槽的侧壁和底壁。导电材料至少部分地填充槽并且接触势垒层。第一电极与漂移层形成肖特基结，与势垒层和导电材料形成低阻接触。第二电极与SiC基底形成欧姆接触。该肖特基器件实现了改善的性能，例如改善的漏电和击穿电压，并且适用于高功率和快速开关应用。

主权项

一种肖特基器件，包括：第一导电类型的碳化硅SiC基底；漂移层，所述漂移层由SiC形成且位于所述SiC基底上，所述漂移层具有第一导电类型，所述漂移层的杂质浓度低于所述SiC基底的杂质浓度，所述漂移层具有顶表面和底表面，所述底表面接触所述SiC基底；槽，所述槽从所述漂移层的顶表面朝向所述SiC基底延伸；势垒层，所述势垒层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述势垒层接触所述漂移层并且覆盖所述槽的侧壁和底壁；导电材料，所述导电材料至少部分地填充所述槽并且接触所述势垒层；第一电极，所述第一电极位于所述漂移层的顶表面上，所述第一电极与所述漂移层形成肖特基结，并且与所述势垒层和所述导电材料形成低阻接触；以及第二电极，所述第二电极与所述SiC基底形成欧姆接触。