[实用新型]一种高SNR的硅麦克风有效
| 申请号: | 201721135190.3 | 申请日: | 2017-09-05 |
| 公开(公告)号: | CN207269268U | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
| 发明(设计)人: | 罗旭辉 | 申请(专利权)人: | 深圳市艾辰电子有限公司 |
| 主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04 |
| 代理公司: | 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司44380 | 代理人: | 徐翀 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种高SNR的硅麦克风,包括PCB,并列安装在所述PCB上的第一壳体和第二壳体,以及,贴装在所述PCB上且位于所述第一壳体内的MEMS芯片和IC芯片;所述第一壳体内形成有第一腔体,所述MEMS芯片和所述PCB之间形成有芯片腔体,所述第二壳体内形成有第二腔体,所述第二腔体和所述芯片腔体通过所述PCB内部开设的导声通道连通,所述第二壳体上开设有声学孔。本实用新型实施例具有以下优点1、可以提高硅麦克风的灵敏度和SNR,还可以改善硅麦克风的高频频率响应;2、避免了光噪声对MEMS的不良影响;3、可以提高硅麦克风的环境适应性。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 snr 麦克风 | ||
【主权项】:
一种高SNR的硅麦克风,其特征在于,包括:PCB(10),并列安装在所述PCB上的第一壳体(11)和第二壳体(12),以及,贴装在所述PCB(10)上且位于所述第一壳体(11)内的MEMS芯片(13)和IC芯片(14);所述第一壳体(11)内形成有第一腔体(21),所述MEMS芯片(13)和所述PCB(10)之间形成有芯片腔体(23),所述第二壳体(12)内形成有第二腔体(22),所述第二腔体(22)和所述芯片腔体(23)通过所述PCB(10)内部开设的导声通道(24)连通,所述第二壳体(12)上开设有声学孔(15)。
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