[实用新型]一种半导体UV切割膜有效
| 申请号： | 201721091579.2 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN207097798U | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 纪冬 | 申请（专利权）人： | 上海高恒材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201801 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体UV切割膜。所述UV切割膜自下而上依次包括PET膜层，非UV解黏胶层，PO膜层，UV解黏胶层，离型膜。本实用新型是一种对切割机具有良好的吸附性，对被切割半导体晶圆及其封装模块具有良好的服帖性，同时可以提高切割良率的低成本UV切割膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 uv 切割 | ||
【主权项】：
一种半导体UV切割膜，其特征在于，所述半导体UV切割膜由下自上依次包括PET膜层，非UV解黏胶层，PO膜层，UV解黏胶层，离型膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
