[实用新型]电子器件有效
| 申请号： | 201721068747.6 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN207409498U | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种电子器件。该电子器件可包括双向JFET，其可包括漏极/源极区、覆盖漏极/源极区的轻掺杂半导体层、覆盖轻掺杂半导体层的源极/漏极区、延伸穿过源极/漏极区并进入轻掺杂半导体层中的沟槽、位于沟槽内的双向JFET的栅极电极，以及位于沟槽内的场电极。本实用新型所要解决的问题是获得包括具有低导通状态电阻和良好的漏极‑源极击穿电压的双向结型场效应晶体管的电子器件。本实用新型实现的技术效果是提供具有低导通状态电阻和良好的漏极‑源极击穿电压的双向结型场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 漏极 轻掺杂半导体层 本实用新型 结型场效应晶体管 导通状态电阻 源极/漏极区 击穿电压 源极区 源极 技术效果 延伸穿过 栅极电极 场电极 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包括双向JFET，所述电子器件包括：漏极/源极区；轻掺杂半导体层，所述轻掺杂半导体层覆盖所述漏极/源极区；源极/漏极区，所述源极/漏极区覆盖所述漏极/源极区和所述轻掺杂半导体层；第一沟槽，所述第一沟槽延伸到所述轻掺杂半导体层中；栅极电极，所述栅极电极位于所述第一沟槽内；和第一场电极，所述第一场电极位于所述第一沟槽内。
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