[实用新型]基于VCSEL激光二极管的匀化及扩束结构有效

专利信息
申请号: 201721018462.1 申请日: 2017-08-15
公开(公告)号: CN207067545U 公开(公告)日: 2018-03-02
发明(设计)人: 罗玉辉;何兵 申请(专利权)人: 深圳新亮智能技术有限公司
主分类号: G02B27/09 分类号: G02B27/09
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种基于VCSEL激光二极管的匀化及扩束结构,该结构包括VCSEL激光二极管、双凹扩束透镜和双凸聚焦透镜;所述VCSEL激光二极管和双凹扩束透镜两者之间的距离固定不变,且所述双凹扩束透镜与双凸聚焦透镜之间的距离随着双凸聚焦透镜的左右移动进行变化;所述VCSEL激光二极管包括激光芯片和分布在激光芯片上的多个点光源,多个点光源呈多点垂直阵列结构分布;多个点光源的发光面朝向双凹扩束透镜,且VCSEL激光二极管发光后先经过双凹扩束透镜扩束做光束匀化和高斯光束整形后再经过双凸聚焦透镜聚焦。本实用新型光束质量更细腻,能满足现有8K系列摄像机极高清的夜视细微特征捕捉或成像的监控需求。
搜索关键词: 基于 vcsel 激光二极管 结构
【主权项】:
一种基于VCSEL激光二极管的匀化及扩束结构,其特征在于,包括VCSEL激光二极管、双凹扩束透镜和双凸聚焦透镜;所述VCSEL激光二极管、双凹扩束透镜和双凸聚焦透镜由左至右依次分布,且三者的中心在同一直线上;所述VCSEL激光二极管和双凹扩束透镜两者之间的距离固定不变,且所述双凹扩束透镜与双凸聚焦透镜之间的距离随着双凸聚焦透镜的左右移动进行变化;所述VCSEL激光二极管包括激光芯片和分布在激光芯片上的多个点光源,点光源呈多点垂直阵列结构分布;多个点光源的发光面朝向双凹扩束透镜,且VCSEL激光二极管发光后先经过双凹扩束透镜扩束做光束匀化和高斯光束整形后再经过双凸聚焦透镜聚焦。
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