[实用新型]基于半导体碳化硅晶体管的磁控溅射脉冲电源有效

专利信息
申请号: 201721015010.8 申请日: 2017-08-14
公开(公告)号: CN207039480U 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 陈利军;郑启发;王小军 申请(专利权)人: 湖南众源电子科技有限公司
主分类号: H02M9/06 分类号: H02M9/06
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 代理人: 伍传松
地址: 410600 湖南省长沙*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型公开了基于半导体碳化硅晶体管的磁控溅射脉冲电源,包括交流输入端,输入变压器,整流模块,储能电容,半导体碳化硅晶体管模块、输出变压器和脉冲输出端,还包括DSP控制板和晶体管驱动电路,所述DSP控制板通过晶体管驱动电路与半导体碳化硅晶体管模块的栅极连接。半导体碳化硅晶体管模块具有宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速度和高热导率的电学特性,在相同的耐压水平下,半导体碳化硅晶体管的寄生电容远小于其它器件,使磁控溅射脉冲电源的可靠性大大提高。
搜索关键词: 基于 半导体 碳化硅 晶体管 磁控溅射 脉冲 电源
【主权项】:
基于半导体碳化硅晶体管的磁控溅射脉冲电源,其特征在于:包括交流输入端,输入变压器,整流模块,储能电容,半导体碳化硅晶体管模块、输出变压器和脉冲输出端,所述交流输入端、输入变压器、整流模块依次连接,所述整流模块的两个输出端分别连接储能电容的正负极,所述储能电容的正极连接至输出变压器的初级绕组,并通过输出变压器的初级绕组连接至半导体碳化硅晶体管模块的漏极,所述半导体碳化硅晶体管模块的源极与储能电容的负极连接,所述输出变压器的次级绕组与脉冲输出端连接;还包括DSP控制板和晶体管驱动电路,所述DSP控制板通过晶体管驱动电路与半导体碳化硅晶体管模块的栅极连接。
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