[实用新型]新型阳极短路型IGBT有效
| 申请号： | 201721009505.X | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN207217543U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 杨文良;黄凤明;杨彦峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京久维律师事务所11582 | 代理人： | 邢江峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区梅林*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种新型阳极短路型IGBT，新型阳极短路型IGBT，包括设置于晶圆本体；所述晶圆的背面设有离子注入层；离子注入层上设有金属铝层，金属铝层为片状且被光刻腐蚀后形成若干个间隔的屏蔽层；相邻两个屏蔽层间隔设置并被沟槽隔离；晶圆的背面设有背面金属层，背面金属层覆盖在由金属铝层构成的屏蔽层及两个屏蔽层之间间隔的沟槽上方。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 阳极 短路 igbt | ||
【主权项】：
一种新型阳极短路型IGBT，包括设置于晶圆本体、位于晶圆正面的发射极、集电极及栅极；其特征在于：所述晶圆的背面设有离子注入层；离子注入层上设有金属铝层，金属铝层为片状且被光刻腐蚀后形成若干个间隔的屏蔽层；相邻两个屏蔽层间隔设置并被沟槽隔离；晶圆的背面设有背面金属层，背面金属层覆盖在由金属铝层构成的屏蔽层及两个屏蔽层之间间隔的沟槽上方。
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