[实用新型]晶体管及半导体存储器件有效
| 申请号： | 201720965192.9 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN207009441U | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶体管及半导体存储器件，其中，晶体管至少包括衬底，所述衬底上制备有栅极结构；第一侧壁绝缘层与表面极性改质层，依次形成于所述衬底上，所述第一侧壁绝缘层覆盖所述栅极结构，所述表面极性改质层覆盖所述第一侧壁绝缘层；绝缘介质隔离层，形成于所述衬底上，所述绝缘介质隔离层覆盖所述表面极性改质层并包覆所述栅极结构；以及，栓导电层，形成于所述衬底上且位于所述绝缘介质隔离层两侧。本实用新型通过表面极性改质层和绝缘介质隔离层的直接接触，从而增强对绝缘介质隔离层前驱物的表面吸附力，有效减少绝缘介质隔离层中空洞的产生，因而能够有效避免栓导电层之间桥接短路。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，所述晶体管至少包括：衬底，所述衬底上制备有栅极结构；第一侧壁绝缘层与表面极性改质层，依次形成于所述衬底上，所述第一侧壁绝缘层覆盖所述栅极结构，所述表面极性改质层覆盖所述第一侧壁绝缘层；绝缘介质隔离层，形成于所述衬底上，所述绝缘介质隔离层覆盖所述表面极性改质层并包覆所述栅极结构；以及，栓导电层，形成于所述衬底上且位于所述绝缘介质隔离层两侧；其中，所述晶体管通过所述表面极性改质层和所述绝缘介质隔离层的直接接触来增强对所述绝缘介质隔离层前驱物的表面吸附力，以避免于所述绝缘介质隔离层中形成空洞，从而避免位于所述绝缘介质隔离层两侧的所述栓导电层之间的桥接短路。
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