[实用新型]一种磁电存储器存储单元结构有效
| 申请号： | 201720957842.5 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN207398179U | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 薛飞 | 申请（专利权）人： | 江西科技学院 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 吴称生 |
| 地址： | 330098 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本实用新型涉及一种磁电存储器存储单元结构，包括磁电材料层、上电极层、端电极层、衬底层；所述磁电材料层包括铁电‑反铁磁材料层、设置于铁电‑反铁磁材料层下面的铁磁材料层、所述铁磁材料层中间设置有绝缘层、所述铁磁材料层下端与衬底层相连；所述上电极层设置于铁电‑反铁磁材料层上端；所述端电极层设置于铁磁材料层两端。本实用新型通过铁磁材料层和反铁磁材料界面的偏置效应调控铁磁材料层的磁化取向，并制成多铁隧道结(MTJ)，把电极化和磁性的变化转变为高、低电阻的变化，其开关电阻比(R |
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| 搜索关键词： | 一种 磁电 存储器 存储 单元 结构 | ||
【主权项】：
1.一种磁电存储器存储单元结构，其特征在于，包括磁电材料层、上电极层、端电极层、衬底层；所述磁电材料层包括铁电-反铁磁材料层、设置于铁电-反铁磁材料层下面的铁磁材料层、所述铁磁材料层之间设置有绝缘层、所述铁磁材料层下端与衬底层相连；所述上电极层设置于铁电-反铁磁材料层上端；所述端电极层设置于铁磁材料层两端。
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